本发明公开了一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法,属于无机半导体
纳米材料制备领域。该Mn掺杂单层WS
2二维晶体的制备方法为:以MnO
2、NaCl、WO
3、S为原料,在三温区管式炉里面以Si/SiO
2为基底,通过化学气相沉积的方式制备得到Mn掺杂单层WS
2二维晶体。本实验室生长的本征WS
2形貌多为规则的正三角形,Mn掺杂后的WS
2样品的光学图像出现明显的衬度差,并且会有部分不规则的多角形出现。本发明操作简单,成本低廉,对仪器设备要求低,合成的样品化学及热力学稳定性好。所制备的样品在电子、传感器、探测器等光电及稀磁半导体方面有着巨大的应用前景。
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