本发明公开了一种高阻尼形状记忆合金的应用,该形状记忆合金的化学式为Ni55-xFexMn20Ga25。按照Ni55-xFexMn20Ga25的化学计量比,将Ni、Fe、Mn和Ga单质放入电弧熔炼炉中,抽真空后充入氩气,熔炼最终的铸锭经高温固溶处理后淬火至室温,得到了形状记忆合金。对Ni55-xFexMn20Ga25形状记忆合金体系的阻尼测试表明,合金样品具有高阻尼平台(Q-1≥0.05)。当x=0时,得到了宽温度区间150K-340K的高阻尼合金;当0< x≤2时,由于Fe掺杂导致中间马氏体相变的出现,使掺杂合金在较宽的温度范围215K-275K内具备大磁控阻尼效应,即其阻尼值随磁场增大而增加。
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