本发明公开了一种一维硒化镉半导体纳米线的制备方法,包括:在衬底上沉积一金属催化剂薄膜;在保护气存在下,均匀混合硫化镉和硒化镉;将沉积催化剂薄膜的衬底和混合的硫化镉与硒化镉进行加温,通过化学气相沉积方法得到纳米线。采用化学气相沉积的方法能够大面积批量生长,可有效控制半导体纳米线的生长方向、长度,并显著提高其载流子迁移率。制备的光电探测器性能优异。
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