本发明属于去耦设计方法技术领域,具体涉及一种
石墨烯吸波超表面去耦设计方法,包括下列步骤:基于阻抗匹配理论,建立组合结构吸波材料的物理模型;计算吸波层的方阻值;利用CST软件实现吸波材料几何结构建模;获得吸波特性仿真参数;利用化学气相沉积CVD法制备石墨烯,利用激光刻蚀技术制备超表面吸波材料样品;测试吸波特性和
芯片间隔离度。本发明基于阻抗匹配特性,研究不同电导率石墨烯薄膜电磁损耗特性,提高电磁波吸收率,采用十字型和四凹字组合结构,利用仿真软件实现超表面单元优化设计,实现双频谐振;利用陶瓷制备化学性能稳定的超薄介质层。
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