本发明提供一种LED
芯片Sputter‑ITO腐蚀工艺,包括以下步骤:(1)选取外延片,清洗后进行P‑SiO2层的沉积,再进行黄光P‑SiO2制程,光刻出所需图形;(2)通过浸泡BOE溶液化学湿法腐蚀SiO2,去除光刻胶,再进行酸洗、甩干;(3)进行Sputter‑ITO溅镀,然后进行黄光光刻所需图形;(4)化学湿法蚀刻后,清洗完成后甩干,进行ICP刻蚀,去除光刻胶后清洗、甩干;(5)再进行RTA高温退火熔合;(6)然后进行钝化SiO2层的沉积、PN黄光光刻,金属蒸镀后去除光刻胶,再金属熔合,最后完成点测。本发明将取消Sputter‑ITO过腐蚀,在ITO膜溅镀完成后先经过黄光光刻,再固定ITO的腐蚀时间,这样就避免了由于ITO膜过腐蚀所造成的腐蚀过现象。
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