本发明公开了一种亚光熔块,所述亚光熔块的化学组分为:SiO2 30~40%,ALO3 13~16%,CaO 6~8%,MgO 3~5%,K2O 0.7~1.5%,NaO2 3~4%,ZnO 2~5%,PbO 1~3%,BaO 6~8%,ZnO2 3~6%,B2O3 2~4%,Li2O 0.2~0.6%,废釉、刮边釉20~30%;所述球磨釉浆细度为0.2~0.5%(325目);本发明还公开了制造上述熔块的方法,其工艺流程如下:原料进厂→检验→按原料组分配比配料→熔制→水淬→检验→包装;所述熔制温度为1500~1600℃。本发明适用范围广、釉面细腻、不易产生色差,可降低成本30%左右。
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