本发明公开一种超高频晶片的抛光方法,该方法主要包括以下步骤:(1)频率测定;(2)全数分类;(3)LOT构成;(4)中性洗涤剂与超声波洗净;(5)超纯水超声波洗净;(6)干燥;(7)硫酸洗净;(8)硫酸洗净后纯水洗净;(9)第一次化学抛光;(10)第二次化学抛光;(11)送至下一流程。本发明使用化学抛光可以降低晶片破损率,提高晶片的加工频率,同时减少了机器的维护,有效地提高了抛光效率。
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