本发明涉及一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺。其特征在于:对非导电基体的金属薄层表面进行高压放电。本发明的优点是分离非导电基体上金属薄层的过程为物理过程,不伴有化学反应。因此本工艺不产生二次污染。分离程度与时间呈正比,便于工程参数调节。(化学法处理要考虑反应速率方程,参数调节繁琐)本工艺的能耗较低,运行费用低廉。以光盘为例,化学法处理费用约500元/吨,而本工艺的实验数据推测出的处理费用不超过100元/吨。本工艺只需使用电能,无需化工原料,也没用排污需求。因此工程应用不受地缘因素影响。
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