本发明的目的在于提供一种具有
光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法,其特征在于,利用化学气相沉积方法制备:将拓扑绝缘体材料蒸发沉积在硅基片上,得到拓扑绝缘体薄膜。该薄膜具有全日光波段光电响应能力,用太阳光作为光源,n-TI/p-Si或p-TI/n-Si双层结构薄膜光电响应时间低于1秒,所测样品面积在9-15平方毫米,最强太阳光强度为200W/m2,开路光电压达0.1V,短路光电流达几十微安,随薄膜面积和太阳光强度的增加而增加,适用于
太阳能电池。
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