合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 化学分析技术

> 基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管

基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管

1008   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:20:16
本发明公开了属于新型半导体器件和纳米电子器件领域的一种基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管。采用应变SiGe层做空穴量子阱,用Si做空穴势垒,形成空穴的双势垒单量子阱结构。用高掺杂P型Si作衬底,在此树底上采用化学气相淀积方法或分子束外延等方法依次淀积上未掺杂的SiGe层、Si层、SiGe层、Si层、SiGe层及重掺杂的P型Si形成的台面结构,并分别在衬底上和台面结构上形成的电极。实验证明在室温下对样品进行电流电压特性测试能够观察到明显的微分负阻现象。制作工艺与当前主流的Si半导体平面工艺相兼容,能够更有效地提高集成电路的集成度。
声明:
“基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
化学分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届关键基础材料模拟、制备与评价技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记