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通过插入界面原子单层改进与IV族半导体的金属接触

712   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:20:16
本公开案提供通过在金属与半导体之间的界面插入V族或III族原子单层,或插入各自由单层形成的双层,或插入多个所述双层,减少金属-半导体(IV族)结的比接触电阻的技术。所得的低比电阻金属-IV族半导体结应用为半导体设备中的低电阻电极,所述半导体设备包括电子设备(例如晶体管、二极管等)和光电设备(例如激光器、太阳能电池、光电探测器等),及/或应用为场效应晶体管(field?effect?transistor;FET)中的金属源区及/或金属漏区(或者所述金属源区及/或金属漏区的一部分)。III族原子单层和V族原子单层主要为有序的原子层,所述原子层形成于IV族半导体的表面并与IV族半导体的表面原子化学结合。
声明:
“通过插入界面原子单层改进与IV族半导体的金属接触” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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