本发明提供了一种Ga
2O
3薄膜的制备方法,包括以下步骤:以有机镓化合物作为镓源,以高纯氧气作为氧源,利用金属有机化学气相沉积法在衬底表面进行沉积,降温后得到Ga
2O
3薄膜;在Ga
2O
3薄膜生长的过程中间歇补充有机镁化合物。本申请还提供了上述制备方法所制备的Ga
2O
3薄膜,Ga
2O
3薄膜中掺杂微量镁。本申请通过对制备Ga
2O
3薄膜中有机镁化合物的通入时机和通入时间的控制,实现了微量镁掺杂的Ga
2O
3薄膜的制备,其为实现高性能日盲紫外光探测器提供了便捷有效的手段。
声明:
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