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Ga2O3薄膜及其制备方法

691   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:20:15
本发明提供了一种Ga2O3薄膜的制备方法,包括以下步骤:以有机镓化合物作为镓源,以高纯氧气作为氧源,利用金属有机化学气相沉积法在衬底表面进行沉积,降温后得到Ga2O3薄膜;在Ga2O3薄膜生长的过程中间歇补充有机镁化合物。本申请还提供了上述制备方法所制备的Ga2O3薄膜,Ga2O3薄膜中掺杂微量镁。本申请通过对制备Ga2O3薄膜中有机镁化合物的通入时机和通入时间的控制,实现了微量镁掺杂的Ga2O3薄膜的制备,其为实现高性能日盲紫外光探测器提供了便捷有效的手段。
声明:
“Ga2O3薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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