本发明涉及纳米晶体金属材料,具体地说是一种 超高强度超高导电性纳米孪晶铜材料及制备方法。利用电解沉 积技术制备,制备出高纯度的多晶体Cu材料,其微观结构由 近于等轴的亚微米300~1000nm晶粒组成,在晶粒内部存在高 密度的不同取向的孪晶片层结构,取向相同的孪晶片层之间相 互平行,孪晶片层的厚度从几个纳米到100nm,其长度为100~ 500nm。本发明与现有技术相比,性能优异。该材料室温拉伸 时屈服强度可达900MPa,断裂强度可达1086MPa,这种超高 强度是在利用其它多种方法制备的相同化学成分的铜材料所 不可及的。同时,低温电阻测试发现,该材料的导电能力非常 好,接近于普通粗晶体铜材料的导电率,其室温电阻率为1.75±0.02×10-8Ω·m,相当于96%IACS。
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