合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 化学分析技术

> 改善集成电路制程中硅位错的方法

改善集成电路制程中硅位错的方法

807   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:17:30
本发明公开了一种改善集成电路制程中硅位错的方法,包括以下步骤:A)用氧化法生长第一栅氧化层;B)在第一栅氧化层上用化学气相沉积法沉积预定厚度的第二栅氧化层;C)通过电性测量仪器调整第一和第二栅氧化层的厚度,使MOS器件的电性参数符合制程要求。本发明可有效减少硅位错,降低集成电路芯片的泄露电流,从而提高集成电路芯片的良率。
声明:
“改善集成电路制程中硅位错的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
化学分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届中国微细粒矿物选矿技术大会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记