本发明公开了一种正硅酸盐系
正极材料包覆三元材料的制备方法。正硅酸盐系正极材料化学组成通式为Li
2MSiO
4(M=Fe,Mn,Co,Ni中的至少一种),其包覆含量占正极材料本身质量分数的0.01~10%,包覆层厚度10‑1000nm。本发明过程为:首先对三元材料表面残余锂含量及成分进行测定,接着根据包覆含量、分子摩尔比加入纳米级锂源、相应金属M源、硅源等,流态化混合、压片、烧结、制粉、过筛即可得到正硅酸盐系正极材料包覆的三元正极材料。本发明为纯干法过程,制备方法简单易行,降低表面残余锂的同时能够提高三元材料的抗过充及热稳定性,提升材料本身的电性能,具有一定的工业化应用前景。
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