本发明涉及一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用,该ZnSe纳米线沿< 100> 晶向生长,具有闪锌矿结构,其平均直径为20‑80nm,长度为0.5‑10μm,尺寸均匀,结晶度良好,无堆垛层错等结构缺陷。本发明通过将ZnSe粉末作为反应前驱物,以金作为催化剂,利用化学气相沉积法在FTO导电玻璃或SnO2单晶基片衬底上生长得到ZnSe纳米线。该纳米线可用于构建
太阳能电池、光电探测器、纳米激光器等光电子器件,尤其在太阳能光电催化分解水制氢方面表现优异,具有良好的应用前景。
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