本发明公开了一种具有纳米结构的非晶氧化物半导体薄膜,该薄膜包括连续薄膜层和纳米结构层,连续薄膜层直接生长在衬底上;纳米结构层为连续薄膜层的纵向自然延伸,呈现间隔分布的凸起峰和凹陷坑。该薄膜为非晶氧化物半导体ZnTiSnO薄膜。本发明还公开了该薄膜的制备方法,采用溶液化学方法,步骤包括将Zn(NO3)2·6H2O、SnCl2·2H2O+NH4NO3及C12H28O4Ti+NH4NO3分别溶解于二甲氧基乙醇溶剂中,分别加入乙酰丙酮、氨水溶液配成前驱体溶液,配得溶胶,然后旋涂于衬底上,并退火处理。该非晶氧化物半导体薄膜因为具有纳米结构,具有大的比表面积,有望应用于生物传感、气敏、紫外探测等领域。
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