本申请公开了一种碳化硅晶片的位错识别方法及碳化硅晶片与应用。该方法包括将待测碳化硅晶片进行抛光处理,得到第一碳化硅晶片,其表面粗糙度Rq≤0.8nm,使用热碱液腐蚀所述第一碳化硅晶片的表面,得到表面显现出位错腐蚀坑的第二碳化硅晶片,对所述第二碳化硅晶片进行光学显微观测,识别所述位错。现有技术通常在热碱腐蚀前进行研磨、机械抛光、化学机械抛光等工艺,本申请发现只需使表面粗糙度降低至一定阈值,即可去除光学显微观测位错时存在的水滴状干扰,不需要将表面粗糙度降得过低,如在机械抛光阶段进行工艺优化,可以省去最终化学机械抛光加工工艺。本申请方法具有操作简便,不需要复杂的试剂、效率高、成本低等优点。
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