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形成多层半导体元件的方法

1126   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:14:38
本发明是有关于一种形成多层半导体元件的方法,可消除于晶圆验收测试后所产生的导电性突起物,此方法包括形成一第一导电内连线层、进行一晶圆验收测试制程以及在此导电内连线层上进行一化学机械研磨制程。
声明:
“形成多层半导体元件的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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