本发明涉及一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法,其特征在于,包括以下步骤:将机械精抛后的碳化硅晶片进行化学抛光;将化学抛光后的碳化硅晶片用原子力显微镜测试其表面,在原子力显微镜上显示出所测试表面的粗糙度数值;若显示出的粗糙度数值在0.10~0.50nm之间,则所测试的表面为硅面;若显示出的粗糙度在0.80~3.00nm之间,则所测试的表面为碳面。本发明的特点是既不多加工序也不损伤晶片,即大大的降低成本、提高制片效率,且操作简单安全;同时能省去一个定位边,不但能减少再生长得到的晶体缺陷,提高晶体品质,而且与第一代半导体硅单晶片几何尺寸标准相匹配。
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