本发明揭示了一种晶圆抛光方法,该方法包括:膜厚测量步骤,对晶圆进行膜厚测量;移放晶圆步骤,将晶圆移放至工艺位置;预湿润及
电化学抛光步骤,预湿润晶圆后对晶圆进行电化学抛光;后续处理步骤,对晶圆进行后续处理;晶圆根据其膜厚,预湿润及电化学抛光步骤被重复执行多次后才进入后续处理步骤。采用本发明的技术方案,能够大大缩短工艺时间,并保证抛光得到的晶圆表面具有良好的粗糙度。
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