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基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用

853   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:14:37
本发明揭示了一种利用石墨烯薄膜作为GaN基LED、紫外光探测器的透明导电电极及其制法与应用,该石墨烯薄膜固化结合于LED、紫外光探测器GaN基片表面。采用化学气相沉积或还原氧化法制备石墨烯透明导电薄膜,并利用微加工光刻、刻蚀和金属沉积的方法制作GaN基LED、紫外光探测器;迁移石墨烯薄膜到LED或紫外光探测器的p型GaN基片上,代替ITO或Ni/Au作为透明导电电极。本发明采用石墨烯薄膜作为透明导电电极,能够实现低成本、高亮度的发光器件,扩大了碳纳米材料在GaN基光电器件领域的应用。
声明:
“基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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