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用于半导体晶圆的激光研磨工艺

712   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:14:36
本发明主要涉及一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺,属于晶圆研磨技术领域,包括以下步骤:步骤一,提供待研磨的半导体晶圆;步骤二,利用激光测量计测量晶圆几何参数;步骤三,与晶圆目标几何参数对比确定激光研磨加工余量;步骤四,设定激光研磨加工工艺参数并完成首次激光研磨加工;步骤五,再次测量晶圆几何参数。步骤六,与晶圆目标几何参数对比确定第二次激光研磨加工余量;步骤七,设定激光研磨加工工艺参数并完成第二次激光研磨加工;重复上述步骤,直至晶圆几何参数满足晶圆目标几何参数要求。激光研磨代替传统化学机械研磨,减少了环境污染,拓宽了一台设备可研磨加工的晶圆尺寸;缓解了化学机械研磨精度控制方法浅显,难以保证较高研磨精度的技术问题,优化了晶圆的化学机械研磨工艺,使得晶圆研磨精度的控制工艺更加准确、可靠。
声明:
“用于半导体晶圆的激光研磨工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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