本发明公布了一种高阻尼形状记忆合金及其制备方法,该形状记忆合金的化学式为Ni55-xCuxMn25Ga20(0≤x≤6);按照Ni55-xCuxMn25Ga20的化学计量比,将Ni、Cu、Mn和Ga单质放入电弧熔炼炉中,并抽真空再充入氩气在110A下熔炼得到铸锭,并将铸锭反复熔炼后经高温固溶处理后淬火至室温,得到高阻尼形状记忆合金。对Ni55-xCuxMn25Ga20形状记忆合金体系的阻尼测试表明,这些样品具有高阻尼峰,阻尼峰值Q-1均大于0.03,最大峰值达到0.0771。阻尼峰的温度范围很宽,可达到200K-430K,完全覆盖环境温区,且阻尼峰不随频率变化、稳定性高,具有实际应用价值。
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