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CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极

987   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:14:36
本发明公开了一种CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极的制备方法,步骤如下:以钼网作为基底,以可溶性镉盐作为镉源,将金属镉沉积在钼网上,将沉积好的钼网置于硫化氢气氛中进行硫化,即得到CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极。本发明制备的CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极的光电转化效率高,有较大的应用前景。经实验研究发现CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极光电化学产氢性能,在光电化学测试中光电流超过三毫安,在主要吸光区域光电转化效率接近20%,性能优于传统FTO玻璃上制备的硫化镉电极。
声明:
“CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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