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生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用

1098   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 08:14:36
本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，其包括由下至上依次排列的Si衬底、AlN缓冲层、GaN形核层、GaN外延层；所述Si衬底的晶体取向为111面偏100方向0.5-1°；通过衬底以及其晶向的选取、采用脉冲激光沉积工艺生长AlN缓冲层、采用金属有机化学气相沉积工艺生长GaN形核层、采用金属有机化学气相沉积工艺生长GaN外延层等步骤制备而成。本发明的GaN薄膜应用于LED器件、光电探测器等器件中，具有密度低、结晶质量好、成本低等优点。
声明：
“生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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化学分析
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