本发明提供原位合成铜纳米线阵列材料及其制备方法和应用,将氧化铜纳米线阵列置于分离的两室反应电解池中,在空气氛围下,以氧化铜纳米线阵列为工作电极,汞/氧化汞为参比电极,铂片为对电极,电解溶液为0.5M K
2CO
3的乙腈和氘代水的混合溶液,其中,乙腈的体积占混合溶液总体积的30‑70%,氘代水的体积占混合溶液总体积的30‑70%,在扫描速度为8‑12mV/s,扫描电压为‑0.4~‑1.4V的范围内进行循环伏安测试,直至氧化铜的还原峰消失,即得到原位合成铜纳米线阵列材料。本发明通过原位转化的方法合成了铜纳米线阵列(Cu NWAs)材料,以铜纳米线阵列(Cu NWAs)材料为
电化学反应的阴极,利用一种简便的电化学还原方法以氘代水为氘源实现了C‑X/C‑D的高效转化。
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