本发明公开了属于化学热处理技术领域的一种高纯钨表面生成WC方法。具体方法为:准备高纯钨零件和渗碳剂,高纯钨零件表面处理后与渗碳剂装炉进行渗碳处理,采用高真空渗碳,真空度要求< 10?2Pa,渗碳温度为1600~1800℃,保温3?4h,然后再通入约1000Pa高纯氩气炉冷到室温取出,最后进行检验。本发明的方法能够在高纯钨表面生成7?15μm的WC化合物,有效提高了金属钨的耐蚀性。
声明:
“高纯钨表面生成WC方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)