一种单温区开管扩镓生产晶闸管方法,属于电力 半导体器件生产工艺。在单温区扩散炉里对经高温 氧化后的硅片进行开管扩镓。扩散时利用干H2从 固态Ga2O3里通过化学反应携带出元素镓,凭借着 对源温、片温、H2气体流量、掺杂时间的控制,使硅片 一次完成掺杂元素镓。本工艺使用设备简单,操作方 便;扩散参数可控、可调、可检;抗玷污能力强,便于推 广。用于晶闸管的生产中,可大幅度提高该类产品的 等级合格率和动态特性。
声明:
“单温区开管扩镓生产晶闸管工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)