本发明涉及一种高性能热电材料及其制备方法,材料的化学式为Eu1‑yCayZn2‑xAgxSb2,其中,x=0,y≤0.5;或y=0,x≤0.05;所述材料通过以下方法制成:以高纯单质(>99.99%)为原料,按上述化学式中化学计量比配料,混合均匀后,放置到涂炭的石英管中进行真空封装,再放入井式炉中经高温熔融、冷水淬火及退火热处理后,研磨成粉末并进行真空热压烧结,缓慢降温后即得到目的产物。与现有技术相比,本发明通过使用低价态Ag原子对Zn原子位置进行掺杂调控载流子浓度,使本征p型EuZn2Sb2热电
半导体材料的载流子浓度在3.5~14×1019cm‑3范围内可调,并通过Ca取代Eu原子位置形成固溶体,在不影响载流子浓度的前提下,引入点缺陷在整个测试温度范围内大幅度降低材料的晶格热导,从而提高了其热电性能。
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