本发明涉及一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法。本发明属于
半导体材料技术领域。一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法,其特点是:多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀过程为:在砷化镓衬底上生长0.8-1.2μm的GaAs缓冲层,180-220nm的GaInP阻挡层,1400-1800nm的AlGaInAs渐变缓冲层;将外延片用光刻胶进行保护,同时露出需要腐蚀测厚的部分;用化学腐蚀液对裸露部分进行腐蚀,化学腐蚀液采用柠檬酸、H2O2和磷酸溶液,腐蚀液温度为20~25℃;腐蚀完毕后,用丙酮溶液除去光刻胶,用无水乙醇及去离子水将外延片清洗干净后,即可测量AlGaInAs渐变缓冲层厚度。本发明具有方法简单,操作方便,安全稳定,重复性好,不腐蚀GaInP阻挡层,可以实现准确测量渐变缓冲层的厚度等优点。
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