本实用新型提供了一种超临界二氧化碳涂胶系统,属于半导体技术领域。所述系统包括:储料装置,至少包括容纳二氧化碳的第一存储罐和容纳光刻胶的第二存储罐;超临界二氧化碳涂胶腔,包括腔体;喷射二氧化碳和光刻胶的喷头,喷头位于腔体内,并通过控制二氧化碳和光刻胶喷射的泵连通至腔体外的储料装置;以及支承硅片的支架,支架位于腔体内且位于喷头下方;分别与腔体连通的温度控制装置和压力检测装置。利用本系统,能够形成厚度均匀、附着力强的薄膜,并且工艺简化、设备和环境要求不高;同时,使用的超临界二氧化碳化学稳定性好,表面张力几乎为零,且对环境无污染。
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