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基于适配体-巯基双面特异识别的荧光传感器阵列及其制备方法

909   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:11:51
本发明公开了一种基于适配体‑巯基双面特异识别的荧光传感器阵列的制备方法,包括以下步骤:S1:采用水热法合成MPA表面修饰的r/g CdTe QDs;S2:通过溶胶‑凝胶法将r/g CdTe QDs掺杂在SiO2中,合成r/g CdTe QDs@SiO2;S3:通过界面溶胶‑凝胶自组装合成Janus‑r/g QDs‑NH2/Vinyl复合材料,其为一面氨基,一面双键的双荧光复合材料;S4:通过巯基‑烯基点击化学反应将巯基修饰的核酸适配体接枝到步骤S3制得的Janus‑r/g QDs‑NH2/Vinyl复合材料的双键面上,再将巯基丙酸的羧基与Janus‑r/g QDs‑NH2/Vinyl复合材料的氨基通过酰胺化反应结合,得到Janus‑r/g QDs‑SH/Apt复合材料,即得荧光传感器阵列。该荧光传感器阵列可以同时识别水中三种氨基糖苷类抗生素和三种重金属离子,实现有机/无机污染物的同时区分检测。
声明:
“基于适配体-巯基双面特异识别的荧光传感器阵列及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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