本发明公开了一种基于SOI的垂直梳齿制造工艺,SOI从下到上依次为衬底、绝缘层、Si层,步骤如下:(1)利用化学气相沉积工艺在Si层上沉积一层SiO2薄膜,(2)刻蚀SiO2薄膜,(3)采用物理气相沉积和剥离技术得到铝电极;(4)采用物理气相沉积和剥离技术得到Cr掩膜;(5)干刻,去除未被Cr掩膜覆盖的SiO2薄膜;(6)Si层第一次干刻;(7)去除Cr掩膜;(8)Si层第二次干刻;(9)绝缘层刻蚀,释放梳齿结构。采用简单工艺同时制造出等高和不等高垂直梳齿结构,可实现加速度计三轴方向特别是Z轴方向上加速度的检测。
声明:
“基于SOI的垂直梳齿制造工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)