本发明公开了一种纳米阵列硫化亚铜的制备方法,包括以下步骤:在室温、搅拌的条件下,将去离子水与乙二胺溶液混合均匀,再浸入铜棒,超声20分钟后再加入硫脲溶液和聚乙烯吡咯烷酮(PVP),密闭放置6-24小时;清洗,室温干燥即可。本发明与现有技术相比,利用湿化学法,在常温下一步反应即可制得硫化亚铜纳米阵列。所制得的硫化亚铜纳米阵列的厚度为5?nm-100?nm。原材料廉价易得,操作简便,产物纯度高、分散性好、晶形好且可控制,生产成本低,重现性非常好,可达95%以上。且制得的铜-硫化亚铜异质结构可以作为传感器电极,直接用于物质(如葡萄糖)的检测。
声明:
“纳米阵列硫化亚铜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)