本发明公开了一种铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法,所述电子俘获型光存储材料的化学式为Sr
1‑x‑yAl
2Si
2O
8:xEu
2+,yNd
3+,其中,0.001≤x≤0.2,0.001≤y≤0.2。本发明所述的制备方法为高温固相法,原料简单易得,价格低廉,适用于批量大规模生产,本发明所述的铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料与以往材料相比,性能极大提升,除了具备光存储材料之外,荧光粉的高亮度还可作为长余辉照明,以及白光LED的蓝色发光源,适于在医疗检测、电子通讯、电子显微镜照相和信息存储等多个应用领域。
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“铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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