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CMOS影像传感器及其形成方法

873   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:04:31
本发明提供了一种CMOS影像传感器及其形成方法,通过浅槽隔离与其相邻的光电二极管之间形成有高K介质层,从而有效避免浅槽隔离结构中的(缺陷)电子移动传递到光电二极管中,进而防止光电二极管检测到非光照产生的电流(即暗电流)。特别的,所述高K介质层通过化学气相沉积工艺、炉管工艺或者原子层淀积工艺即可形成,其工艺实现方法简单,膜层质量可靠,从而能够很好地避免浅槽隔离结构中的(缺陷)电子移动传递到光电二极管中,保证CMOS影像传感器的质量。
声明:
“CMOS影像传感器及其形成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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