本发明公开了一种基于表面SiO
2改性的高选择性氢气传感器。它以二甲基二乙氧基
硅烷为硅源,利用化学气相沉积技术在SnO
2气体传感器表面沉积一层致密SiO
2层而得到。本发明提供的高选择性氢气传感器选择性大幅提高,可有效降低乙醇、丙酮等大分子气体对氢气的干扰。氢气检测灵敏度高,对氢气的响应值最大为140左右,工作温度最低可达到200℃。
声明:
“基于表面二氧化硅改性的高选择性二氧化锡气体传感器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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