本发明公开了一种氮、硼共掺杂
石墨烯复合薄膜及其制备方法,属于透明导电薄膜材料领域。提供的氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜的制备方法包括在CVD法制备石墨烯薄膜时第一次掺杂适量氮硼和在将氮、硼共掺杂石墨烯引入目标基体时的第二次掺杂过程,两次掺杂工艺简单,掺杂剂掺杂稳定,使得制备得到的氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜不仅具有较小的厚度,还具有较低的方阻,可以直接应用于高性能
复合材料、柔性显示与柔性电子器件、
电化学储能、光电检测与传感器等领域。
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“氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)