本发明公开了一种氢气传感器芯体用介质材料、氢气传感器芯体及其制备方法和应用,氢气传感器芯体用介质材料为非晶碳;氢气传感器芯体依次包括基片、由非晶碳构成的介质层和氢气敏感层;制备方法包括以下步骤:(1)先清洗基片表面,再去除基片表面的自然氧化层;(2)在经过步骤(1)处理后的基片表面制备非晶碳薄膜;(3)在非晶碳薄膜表面上制备氢气敏感层。非晶碳成分简单,化学性质稳定,特别适合制备高稳定性、长寿命的电子器件。本发明的氢气传感器芯体所制备的MOS电容薄膜氢气传感器能够检测到的氢气浓度下限达10ppm,而且响应时间和脱氢时间小于25s。本发明的氢气传感器芯体的制备方法,工艺简单,材料及加工成本低廉。
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