合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 化学分析技术

> 选择性发射极电池掩膜的制备方法

选择性发射极电池掩膜的制备方法

1079   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:04:27
本发明公开一种选择性发射极电池掩膜的制备方法,其特征在于它包括以下步骤:将印有刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反应炉腔,炉腔内压强抽真空;升高压强,同时通入N2O;检测炉管压强,30s内降低压强;进行预沉积处理,通入NH3、SiH4和N2O;沉积处理,同时向炉管内通入NH3、?SiH4?和N2O;沉积完毕后降温,同时通入N2进行吹扫及冷却处理。本发明方法制作氮氧化硅掩膜的低温效果降低了温度对硅片少子寿命的影响,同时在二次扩散时不会因为高温导致部分氢键断裂造成氮化硅掩膜结构损伤而引起掩膜功能失效,掩膜效果优于氮化硅薄膜,同时还能阻挡其他杂质金属离子,降低硅片污染。
声明:
“选择性发射极电池掩膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
化学分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

2024退役新能源器件循环利用技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记