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用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法

1017   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:04:04
本发明公开了一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法,包括以下步骤:(1)采用磁场拉晶法进行拉晶,磁场类型为水平磁场,磁场强度为1000‑5000高斯,磁场形状为马鞍形,晶转为5‑15rpm,埚转为0.1‑3rpm;控制晶体生长时液面位置+/‑0.5mm波动范围;(2)进行滚磨及线切割;(3)进行倒角轮廓设计与加工,进行四次倒角,分别使用800#导轮粗倒2次,1000‑3000#导轮精倒2次,使用非对称倒角,轮廓幅长X1大于600μm,X2小于300μm;(4)进行研磨腐蚀,先进行碱腐蚀,再进行酸腐蚀,碱腐蚀去除量控制在5‑15μm,酸腐蚀去除量控制在15‑20μm;(5)进行抛光,抛光转速控制在30‑50rpm,压力控制在300‑500kg,化学液浓度控制在1∶15‑1∶30,pH值控制在9‑13,蜡膜厚度控制在1‑3μm;(6)进行清洗检测;(7)进行边缘形状评估。
声明:
“用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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