本发明属于
纳米材料制备技术领域,特别涉及一种基于双层银纳米结构的硅基SERS基底的制备方法。本发明采用两步无
电化学沉积技术,第一步在硅片表面沉积制备出均匀的单层银纳米粒子,第二步在单层银纳米粒子上再沉积制备出网状银纳米链,最终在硅片表面形成银纳米粒子和网状银纳米链的双层结构。与单层银纳米结构相比,双层银纳米结构形成更多“热点”区域,硅基SERS基底检测呈现出高灵敏度特征。本发明的制作成本低,具有无掩模、常温常压的制备特点,为新型硅基SERS基底的结构设计与制备提供了新的思路和有效的技术手段。
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“基于双层银纳米结构的硅基SERS基底的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)