本发明涉及一种用Sn掺杂ZnO
半导体材料及制备方法,以及此种材料的应用,属于半导体薄膜制备技术领域。本发明的制备方法是,将Sn粉与Zn粉混合在氧气与氩气的气氛中加热以CVD(化学气相沉积)沉积到器件表面形成Sn掺杂ZnO半导体材料。所述材料的组织结构是尺寸为40~100nm纳米针和200~500nm纳米棒的混合网状结构。本发明能够实现Sn掺杂ZnO纳米薄膜的可控生长;能够实现室温下对丙酮、酒精等气体的检测,也就是说采用该方法可以制备出室温气敏性元器件,能够实现室温条件下气敏元件的选择性:对酒精比丙酮气敏性好。提供的制备方法生长温度低,设备简单,成本低,没有环境污染。
声明:
“Sn掺杂ZnO半导体材料及制备方法、及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)