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在钼基片上沉积的钌薄膜及其制备方法

994   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:04:04
一种在钼基片上沉积的钌薄膜及其制备方法,采用磁控溅射法在Mo衬底上制备了Ru薄膜,利用真空退火炉、EDS、XRD,台阶仪及纳米划痕仪等设备研究了不同退火温度对Ru薄膜化学成分、相结构、残余应力及膜基结合力的影响。结果表明,不同退火温度处理下的Ru薄膜呈六方Ru结构,具有择优取向。当退火温度小于300℃时,退火有利于改善薄膜结晶质量,起到释放残余应力及提升膜基结合力的作用;随退火温度的进一步升高,残余应力进一步释放,此外,Ru薄膜中检测到了氧,薄膜中氧化相的出现导致膜基结合力降低。
声明:
“在钼基片上沉积的钌薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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