本发明提出一种金属氧化物半导体气敏材料,所述金属氧化物半导体气敏材料是半导体CeO2与SnO2异质结合的体系,在CeO2晶格内引入了过渡金属Mn4+,所述金属氧化物半导体气敏材料的化学式为CexMn1‑xO2‑SnO2,0<x<1本发明还提出所述金属氧化物半导体气敏材料的制备和应用。本发明将水热法和浸渍法结合,制备出了CexMn1‑xO2‑SnO2气敏材料,将半导体CeO2与SnO2异质结合,并将过渡金属Mn4+引入CeO2晶格内,以掺杂过渡金属的稀土元素半导体气敏材料制成传感器,提高了对气体的检测灵敏度。
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