本发明提出一种金属氧化物半导体气敏材料,所述金属氧化物半导体气敏材料是半导体CeO
2与SnO
2异质结合的体系,在CeO
2晶格内引入了过渡金属Mn
4+,所述金属氧化物半导体气敏材料的化学式为Ce
xMn
1‑xO
2‑SnO
2,0<x<1本发明还提出所述金属氧化物半导体气敏材料的制备和应用。本发明将水热法和浸渍法结合,制备出了Ce
xMn
1‑xO
2‑SnO
2气敏材料,将半导体CeO
2与SnO
2异质结合,并将过渡金属Mn
4+引入CeO
2晶格内,以掺杂过渡金属的
稀土元素半导体气敏材料制成传感器,提高了对气体的检测灵敏度。
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