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超薄芯片的晶背制备方法

998   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:01:30
本发明涉及芯片分析技术领域,公开了一种超薄芯片的晶背制备方法,包括如下步骤:S1:使用热熔胶固定芯片的锡球面,其中热熔胶涂抹均匀;S2:裁剪板载体,其中板载体的最大截面面积大于芯片的最大截面面积;S3:使用热熔胶将芯片粘接在板载体上,其中,所述板载体的中间部位开设形状与芯片适配的卡接槽,芯片背面卡接在所述卡接槽内;S4:研磨去除表面的板载体,露出芯片背面;S5:化学法去除芯片背面的胶体;S6:拆下样品;研磨时,受到的力会被板载体均匀开,同时板载体还能增加研磨的阻力,在厚度变薄时其进度会更容易控制,提高研磨的均匀度与质量,使得芯片背面不会出现裂纹以及研磨更均匀。
声明:
“超薄芯片的晶背制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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