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P型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法

1050   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 08:01:30
本发明涉及一种P型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法。该方法的步骤为：将化学纯的Cu2O粉和分析纯的Al(OH)3粉经500～550℃预烧1～1.5h，在1050～1150℃保温8～12h，生成纯相的CuAlO2粉末，将CuAlO2粉末压制成型后，经1050～1150℃烧结4～10h，制成CuAlO2陶瓷靶材；采用上述制成的CuAlO2陶瓷靶材，利用磁控溅射方法，以Si(100)单晶或石英为衬底，衬底温度300～600℃，以高纯氩气与氧气组成的混合气体为工作气体，工作气压0.8～1.0Pa，氧分压10～40％，溅射功率100～200W，薄膜沉积后，于900～1100℃经氮气气氛保护，在管式炉内退火2～5h，制成P型CuAlO2薄膜。其厚度为100～500nm。本发明方法薄膜沉积面积大，生产成本低，且适于工业化生产。
声明：
“P型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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