本发明涉及一种P型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法。该方法的步骤为:将化学纯的Cu2O粉和分析纯的Al(OH)3粉经500~550℃预烧1~1.5h,在1050~1150℃保温8~12h,生成纯相的CuAlO2粉末,将CuAlO2粉末压制成型后,经1050~1150℃烧结4~10h,制成CuAlO2陶瓷靶材;采用上述制成的CuAlO2陶瓷靶材,利用磁控溅射方法,以Si(100)单晶或石英为衬底,衬底温度300~600℃,以高纯氩气与氧气组成的混合气体为工作气体,工作气压0.8~1.0Pa,氧分压10~40%,溅射功率100~200W,薄膜沉积后,于900~1100℃经氮气气氛保护,在管式炉内退火2~5h,制成P型CuAlO2薄膜。其厚度为100~500nm。本发明方法薄膜沉积面积大,生产成本低,且适于工业化生产。
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