本发明提供了一种通过简单的光化学掺杂电子手段,实现常规半导体量子点(CdSe QD)中热载流子寿命显著延长的独特方法。基于CdSe QD材料体系,改变量子点导带中掺杂电子的程度,利用超快瞬态吸收光谱仪,系统研究了不同电子光掺杂程度对CdSe QD中热电子驰豫时间的影响,通过分析对比获取的动力学谱图和相关动力学参数,发现QD中电子掺杂程度较低时(
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