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SiC/SiO2界面结构、SiCMOS器件及其制备方法

941   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:57:11
本申请公开了一种SiC/SiO2界面结构、SiC MOS器件及其制备方法,涉及金属氧化物半导体场效应管的制备领域。本申请的可以有效抵抗漏电流的SiC/SiO2界面结构,是通过在SiC上生长O终端的SiO2薄膜,得到具有较大导带台阶的界面结构。经计算分析,无缺陷的O终端界面结构是可以有效抵抗漏电流的高质量界面。本申请的SiC/SiO2界面结构应用于SiC金属氧化物半导体场效应管MOSFET器件,可以提高器件性能。本申请的SiC/SiO2界面结构可以采用化学气相沉积技术结合硅氧化工艺进行制备,结构和操作工艺简单,易于控制。
声明:
“SiC/SiO2界面结构、SiCMOS器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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